（a）コンパクトテンション型試験片に発生させたSCCき裂が複雑に分岐している様子が観察されました。（b）き裂が進展していない部位のひずみ分布図から、ひずみは粒界近傍で高いことが分かりました。（c）（a）の上部のき裂周囲のひずみ分布図です。き裂先端の応力集中で生じた分のみを抽出するため、（b）に示したひずみを差し引いてあります。青い線はき裂を表しています。