（a）SiC基板上にGaN薄膜を結晶成長しながら、同時に放射光X線回折を測定しました。（b）GaNの膜厚の増加に伴い、GaN回折ピークの出現やピーク位置が変化しています。（c）回折ピーク位置の膜厚変化をプロットしたところ、H方向よりもL方向で格子面間隔が著しく変化し、従来の弾性変形では説明できないことが分かりました。単位r.l.u.はreciprocal lattice unitsの略で逆格子の単位です。値が大きい（小さい）ほど、GaNの格子間隔は小さい（大きい）ことに対応します。