（a）¹⁰Bのドット列からなるテスト試料と超伝導中性子顕微鏡CB-KIDモデルの模式図：CB-KIDでは異なる物質の層が重なり、¹⁰B転換層で入射中性子が核反応を起こし、発生した⁴Heと⁷Liを超伝導細線部分で検出します。（b）計算した中性子の飛跡：飛跡の色は中性子フルエンスを表しています。フルエンスは単位面積当たりの中性子線の数となります。集束中性子ビーム（中性子フルエンスが高いため水平方向に走る赤い線に集約しました）がCB-KID検出器中央に垂直に入射した場合をシミュレーションで計算しました。（c）シミュレーションにより得られた中性子透過像：テスト試料（a：左図）に対し、一様な中性子ビームが入射した際にCB-KIDで得られる中性子透過像がシミュレーションにより得られます。¹⁰Bドット列を通過できる中性子量は少なくなるため、図のように暗像となります。