トンネル磁気抵抗素子（TMR素子）は、磁性電極層／トンネルバリア層／磁性電極層で構成されますが、その磁性電極層には必要な機能を得るために様々な種類の材料を原子層単位で積層した複雑な磁性電極層が用いられます。本研究では、正方晶マンガンガリウム合金の優れた磁気特性とTMR特性の両立を達成するために、原子層単位で制御されたMnGa/Mg/CoMn磁性電極層を新規に提案・開発しました（a）。そして、それを用いた素子のTMR比が従来の素子と比較して10倍以上と大幅な性能の向上を達成しました（b）。