InGaP/GaAs/Ge三接合太陽電池

異なるバンドギャップの太陽電池を接合させることにより高効率化を図った太陽電池を多接合型太陽電池と呼ぶ。上層にインジウムガリウムリン(InGaP)太陽電池,中間層にガリウムヒ素(GaAs)太陽電池,下層(基板)にゲルマニウム(Ge)太陽電池が配されており、それぞれが順に太陽光の短波長領域(700nm以下),中間波長領域(600〜900nm),長波長領域(900nm以上)を吸収することによって、飛躍的に変換効率を向上させたものである。三接合太陽電池の変換効率は28%以上であり、従来宇宙用の主流であった単結晶シリコン太陽電池の1.5倍以上である。(4-4 人工衛星の寿命を効率的に予測する)


ブラウザの閉じるを実行するか、右の閉じるボタンをクリックしてください。≪閉じる