磁気抵抗効果の中で、絶縁性の領域(本研究の場合はフラーレン-コバルト化合物)で隔てられた強磁性金属/絶縁層/強磁性金属における界面間の電子のトンネルによる電気の流れやすさが、外部から磁場を加えた際の強磁性金属の電子スピンの方向によって変化する現象をトンネル磁気抵抗効果と呼ぶ。一般的に、強磁性金属の電子スピンの向きが平行な場合に電気が流れやすく、電子スピンの向きが反平行に近づくにつれて流れにくくなる。また、その変化の割合が磁気抵抗率と定義される。(6-1 C60-Co薄膜で生じる巨大磁気抵抗効果の起源を解明)
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