円偏光した光源(本研究の場合は放射光)を試料に入射し、吸収測定を行なう。その際、外部からの磁場を入射光に対して平行/反平行になるように試料に加えながら測定を行なう。対象となる物質に電子スピンが存在する場合、磁場中での電子スピンの向きの偏り具合に比例する強さの磁気円偏光二色性シグナル（X線吸収強度の差）が生じる。これにより、対象となる物質の電子スピンの大きさを知ることができる。(6-1 C60-Co薄膜で生じる巨大磁気抵抗効果の起源を解明)
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