乱数を用いて行う粒子軌道追跡サンプリング法のこと。中性粒子ビーム入射における高速イオンの分布関数を計算するため、粒子を位相空間にランダムに配置し、不安定性による磁場や電場の揺らぎが存在しないものと仮定し、ソースと高速イオンの衝突効果を考慮して、各粒子の運動を追跡する。(4-11 スパコン・ヘリオスによる高速イオンの輸送研究)
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