ラシュバ効果

1960年にE. Rashbaによって提唱された効果のこと。重金属表面や半導体接合面などの電子に対して生じる特殊相対論効果であり、特殊な磁場とみなせる。次世代のスピントロニクスデバイスの動作メカニズムとして注目されている。(3-5 アンチな磁石に機密保持)


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